Wyciekły specyfikacje Snapdragonów 835 i 660

Qualcomm zapowiedział, że jego procesory na pierwszą połowę przyszłego roku będą produkowane w 10-nanometrowym procesie technologicznym FinFET. Dziś dowiadujemy się nieoficjalnie czegoś więcej.

Jak wynika z informacji opublikowanych przez chińską witrynę Anzhuo, Snapdragon 835 będzie wykonany w 10-nanometrowym procesie technologicznym FinFet. Jednostka centralna układu to osiem rdzeni Kryo 200 i modem X16. Nie zabraknie też układu graficznego Adreno 540, choć spodziewaliśmy się GPU szóstej generacji.

Snapdragon 660 z kolei ma na tyle ciekawą specyfikację, że aż powątpiewamy w wiarygodność informacji z Anzhuo. Układ ten ma posiadać osiem rdzeni Kryio taktowanych z częstotliwościami 2,2 GHz i 1,9 GHz i posiadać układ graficzny Adreno 512.

Oficjalne informacje mamy poznać już wkrótce. Według niepotwierdzonych informacji Snapdragon 835 ma trafić, między innymi, do telefonu Galaxy S8. Ma też obsługiwać technikę szybkiego ładowania czwartej generacji.