Qualcomm Snapdragon 845 jednak w 10 nm

Nowe rdzenie Kyro, stary proces technologiczny. Czego spodziewać się po nadchodzącym flagowcu Qulacommu?

Podobnie jak spora część komentatorów liczyliśmy po cichu na to, że Qualcomm Snapdragon 845, nowy procesor amerykańskiego producenta, który zasili najprawdopodobniej Samsunga Galaxy S9, będzie wykonany w procesie technologicznych 7 nm. Tak można było wywnioskować z części doniesień i spekulacji, których źródłem były zwykle dobrze poinformowane, chińskie serwisy. Niestety, wszystko wskazuje na to iż model Snapdragon 845 będzie wykonany w 10 nm, a konstrukcyjnie będzie bardzo zbliżony do poprzednika.

Powołując się na anonimowe źródło, co zwykle oznacza pracowników zainteresowanej firmy lub fabryki podwykonawców, serwis Gizchina.com podaje iż nowy procesor powstaje nie w 7 nm, nie nawet w 10 nm LPP (jak np. Samsung Exynos 9810), ale w dotychczasowym 10 nm LPE. Nie ma więc co oczekiwać skoku jakościowego względem, świetnego skądinąd, Snapdragona 835. Przynajmniej nie jeśli chodzi o czystą wydajność.

O wydajność nowego Snapdragona raczej nie ma się co martwić. Szkoda jednak, że producent nie zdecydował się na nowocześniejszy proces technologiczny (fot. Qualcomm)

Niemniej wydajność również powinna ulec delikatnej poprawie. Wszystko dlatego, że chociaż nie zmieni się proces technologiczny, to nowy CPU otrzyma rdzenie Kyro kolejnej generacji, bazujące na architekturze ARM Cortex-A75. Dotychczasowy flagowiec Qualcommu, Snapdragon 835, zbudowany był na bazie rdzeni Kyro 280, będących modyfikacją Cortex-A73. Wydajne Cortexy-A75 znajdą się w Snapdargonie 845 wspólnie z bardziej energooszczędnymi A-53. Grafika natomiast będzie obsługiwana przez GPU Adreon 630.

Z pozostałych nowości: SoC obsłuży kamery o rozdzielczości do 25 MPix oraz łączność LTE poprzez modem X20 o szybkości do 1,2 Gbps, co jest przyzwoitą poprawą względem dotychczasowego flagowca (1 Gbps). | CHIP