1-gigabajtowe moduły pamięci DDR2 trafią do sprzedazy dopiero w przyszłym roku

Koreański producent zdołał wyprodukować przy pomocy 40-nanometrowego procesu technologicznego pierwsze tego typu układy DRAM, które najpierw dostępne będą w 1-gigabajtowych modułach pamięci DDR2. Przeznaczone są do współpracy z mobilnym chipsetem Intel GM45 Express, zaś mają charakteryzować się o 60 procent większą wydajnością, o 30 procent mniejszym poborem mocy oraz mniejszą ilością wydzielanego ciepła - w stosunku do pamięci wytworzonych w 50-nanometrowej technologii.

Samsung pracuje również nad 2-gigabitowymi układami DRAM DDR3, które zamierza wytworzyć w technologii 40 nanometrów. Ich masowa produkcja ma rozpocząć się jeszcze przed końcem 2009 roku. Firma wspomina również o pamięciach DDR4 SDRAM, których jednak nie należy spodziewać się wcześniej, niż w 2012 roku.