Samsung DRAM DDR3
Pierwsze 2-gigabitowe moduły pamięci DDR3 w technologii 40 nm
Samsung dumnie ogłasza, że rozpoczyna masową produkcję 2-gigabitowych układów DRAM w standardzie DDR3, które oferują transfer danych na poziomie 1,6 Gbps przy napięciu zasilania 1,35V.
Układy bazują na aktualnie najbardziej efektywnym procesie technologicznym - 40 nanometrów Samsung Semiconductor zapowiada rozpoczęcie masowej produkcji pierwszych na świecie 2-gigabitowych układów pamięci DDR3 DRAM, wytworzonych w 40-nanometrowym procesie technologicznym. Nowe moduły oferują prędkość transferu danych równą 1,6 Gbps, przy niskim napięciu zasilania 1,35V. Skierowane są natomiast do użytku w niebuforowanych modułach pamięci DIMM i SODIMM o pojemności do 4 GB, ale również w buforowanych pamięciach DIMM dla serwerów, które poszczycą się pojemnością od 4 do 16 GB. |
Oferty ze sklepu CHIP
KUP NAJTANIEJ
