Samsung
Pierwsze 2-gigabitowe pamięci DDR3 DRAM w technologii 30nm
Samsung Electronics dumnie poinformował, że powstały pierwsze na świecie 2-gigabitowe układy pamięci DDR3 DRAM, wytworzone w 30-nanometrowym procesie technologicznym.
Pamięci będą użyte w dekstopach, notebookach, serwerach, netbookach i urządzeniach mobilnych Południowokoreański gigant elektroniczny zapowiada dostępność pierwszych na świecie 2-gigabitowych układów pamięci DDR3 DRAM, które powstały przy użyciu 30-nanometrowej technologii. Według Samsunga, użycie niższego procesu technologicznego, pozwoliło zwiększyć produktywność pamięci o 60 procent w porównaniu z układami wytworzonymi w technologii 40 nm, a także dwukrotnie zwiększyć efektywność produkcji w stosunku do procesów 50 i 60 nm. To jednak nie wszystko. Porównując nowe chipy z układami wytworzonymi w 50-nanometrowej technologii, udało się obniżyć pobór energii o 30 procent. Te 256-megabajtowe układy pamięci DDR3 wejdą do masowej produkcji w drugiej połowie 2010 roku. |
Oferty ze sklepu CHIP
KUP NAJTANIEJ
