Samsung
Samsung startuje z produkcją 4-gigabitowych pamięci DDR3 DRAM
Liczba wyświetleń:
1046,
Dodano:
24.02.2010
Autor: Marcin Chmielewski
Autor: Marcin Chmielewski
Samsung Electronics rozpoczyna masową produkcję 4-gigabitowych układów pamięci DDR3 DRAM, które wytworzono w technologii 40 nanometrów.
Układy DDR3 DRAM w technologii 40 nanometrów
Koreański producent nie zwalnia tempa również w segmencie pamięci operacyjnych, jako że rusza masowa produkcja 4-gigabitowych układów pamięci DDR3 DRAM, wytwarzanych w 40-nanometrowym procesie technologicznym. Nowe układy mogą pracować z częstotliwością 1600 MHz, przy napięciu zasilania 1.5V lub 1.35V. Układy znajdą zastosowanie w 16- i 32-gigabajtowych pamięciach RDIMM oraz 8-gigabajtowych pamięciach SO-DIMM. Samsung chce produkować ponad 90 procent swoich wszystkich pamięci DDR DRAM w 40-nanometrowym procesie technologicznym.
| Oceń artykuł1 | 6 (4/6) (4 głosy) |
P.S. Cena powinna być niższa od tej, którą proponuje dotychczasowa konkurencja.
To jest chyba jakiś chwyt marketingowy.
Czarne prostokąty to właśnie kości
A długie duże prostokąty to panele.