Samsung
2-gigabitowe pamięci DDR3 DRAM w technologii 30 nanometrów
Samsung rozpoczyna masową produkcję 2-gigabitowych układów pamięci DDR3 DRAM, które zostały wytworzone w 30-nanometrowym procesie technologicznym.
2-gigabitowe układy pamięci DDR3 wytworzone w technologii 30 nanometrów Do masowej produkcji trafiły właśnie pierwsze, 2-gigabitowe moduły pamięci DDR3 DRAM, które wytworzono z użyciem 30-nanometrowego procesu technologicznego. Wykorzystanie niższego procesu zapewni zarówno większą szybkość, jak również niższe zużycie prądu przez nowe pamięci, które skierowane mają być między innymi do nowej generacji serwerów pracujących nad wirtualizacją i przetwarzaniem w chmurze, ale także do produktów konsumenckich - desktopów, notebooków, netbooków i urządzeń mobilnych. Nowe, 2-gigabitowe układy pamięci DDR3 mogą pracować z częstotliwością 1866 MHz przy napięciu zasilania 1.35V lub 2133 MHz przy zasilaniu 1.5V. Samsung nie zamierza jednak spoczywać na laurach i już planuje wykorzystać 30-nanometrowy proces technologiczny do masowej produkcji 4-gigabitowych układów pamięci DDR3 DRAM jeszcze przed końcem 2010 roku. |
KUP NAJTANIEJ
6x2GB = 12 GB ??
1 Gb = 128 MB
2 Gb = 256 MB
jedna kość - od ośmiu (jednostronna) do 16 kości (dwustronna) na jeden moduł
8x256 = 2048 MB = 2 GB
16x256 = 4096 MB = 4 GB
dla X58 - 6x4 GB = 24 GB w desktopie
AMD i "uboższe Intele" - 4x4 GB = 16 GB max.
... i tylko mieć duży portfel
Dlatego wszyscy z mniejszym portfelem niż kolega powyżej czekają na zmniejszenie cen SSD lub upowszechnienie się takiej ciekawostki jaką jest HRD.
"[...] With plans to also produce the new 30nm DDR3 chips in a 4Gb density by year end, Samsung will soon broaden its memory line-up with mass production of 4GB, 16GB and 32GB 30nm-class RDIMMs for servers, 4GB and 8GB UDIMMs for workstations and desktop PCs, plus 4GB and 8GB SoDIMMs for notebooks and all-in-one desktops."