DDR3 SDRAM w technologii 50 nm

Elpida zakończyła prace nad 50-nanometrowym procesem technologicznym układów DDR3 SDRAM, które mogą pracować z prędkością 2.5 Gbps, przy bardzo niskim napięciu 1.2 V.

Japoński dostawca układów Dynamic Random Access Memory (DRAM), dumnie poinformował o ukończeniu prac nad nowym, 50-nanometrowym procesem technologicznym, w którym wytworzone zostaną pamięci DDR3 SDRAM. Nowe chipy cechować będzie: niewielki rozmiar (40 mm2

), bardzo niski pobór mocy, wysokie prędkości transferu danych (do 2.5 Gbps) oraz praca przy niższym, niż standardowe, napięciu zasilania.

50-nanometrowy proces przyniesie prędkości transferu danych: 800 Mbps, 1066 Mbps, 1333 Mbps, 1600 Mbps, 1866 Mbps, 2133 Mbps oraz aż 2500 Mbps, przy napięciu zasilania 1.2 V, 1.35 V oraz standardowym 1.5 V.

Masowa produkcja nowych układów DRAM ma rozpocząć się już w pierwszym kwartale 2009 roku.

Close

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.