Dłuższa żywotność pamięci flash

Micron i Sun Microsystems poinformowały o opracowaniu technologii, która zwiększy żywotność rozwiązań pamięci masowych, opartych na pamięci flash. Pierwsze testy nowej technologii pozwoliły na uzyskanie jednego miliona cykli zapisu na pamięci NAND flash, co jest nowym rekordem w tym segmencie.
Micron planuje produkować układy w 34-nanometrowym procesie technologicznym w obydwu wersjach - zarówno Single-Level Cell, jak również Multi-Level Cell
Micron planuje produkować układy w 34-nanometrowym procesie technologicznym w obydwu wersjach - zarówno Single-Level Cell, jak również Multi-Level Cell

Nowe, bardziej żywotne pamięci NAND o pojemności 32 GB trafią do produkcji w pierwszym kwartale 2009 roku.