Pamięci S-RAM z fundamentem pod technologię 22 nm

Wszystkie trzy firmy podpisują się pod wyprodukowaniem mierzących 0.128 mikrometra kwadratowego komórek S-RAM, do czego wykorzystano tą samą technologię tranzystorów high-k metal gate, która używana jest w produkcji najnowszych procesorów. Format wykorzystujący tranzystory polowe, jest o ponad połowę mniejszy, niż poprzednie komórki statycznego RAMu, oparte na takiej samej technologii tranzystorów.
komórka SRAM

Nie wiadomo niestety, kiedy ta technologia zostanie wykorzystana do 22-nanometrowego procesu technologicznego pamięci RAM

Technologia ta jest silną podstawą do wdrożenia 22-nanometrowego procesu technologicznego pamięci RAM. Może ona również znacząco obniżyć koszty produkcji pamięci, podnieść ich wydajność, a także zredukować ilość wydzielanego ciepła.