komórka SRAM

Pamięci S-RAM z fundamentem pod technologię 22 nm

AMD, IBM oraz Toshiba wspólnie ogłosiły, iż wyprodukowały komórki statycznej pamięci RAM, które mierzą zaledwie 0.128 mikrometra kwadratowego.

Wszystkie trzy firmy podpisują się pod wyprodukowaniem mierzących 0.128 mikrometra kwadratowego komórek S-RAM, do czego wykorzystano tą samą technologię tranzystorów high-k metal gate, która używana jest w produkcji najnowszych procesorów. Format wykorzystujący tranzystory polowe, jest o ponad połowę mniejszy, niż poprzednie komórki statycznego RAMu, oparte na takiej samej technologii tranzystorów.

Technologia ta jest silną podstawą do wdrożenia 22-nanometrowego procesu technologicznego pamięci RAM. Może ona również znacząco obniżyć koszty produkcji pamięci, podnieść ich wydajność, a także zredukować ilość wydzielanego ciepła.

0
Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.