Pierwsze 4-gigabitowe układy DDR3 DRAM

Wykorzystując 50-nanometrową technologię, Samsung wytworzył pierwsze na świecie 4-gigabitowe układy DDR3 DRAM, które osiągają prędkość transferu danych na poziomie 1,6 Gbps.

Południowokoreański konglomerat wytworzył w 50-nanometrowym procesie technologicznym pierwsze na świecie 4-gigabitowe układy pamięci DDR3 DRAM, które pracują przy napięciu zasilania 1,35V i osiągają prędkość transferu danych równą 1,6 Gbps. Na bazie nowych chipów można zbudować 16-gigabajtowe, buforowane moduły pamięci dla serwerów, a także 8-gigabajtowe moduły dla desktopów i notebooków. Możliwe nawet będzie utworzenie modułów o pojemności 32 GB, przy wykorzystaniu technologii Dual Die Package.

Niestety Samsung, przy całym swoim, zresztą uzasadnionym entuzjazmie, zapomniał nas poinformować o dacie rozpoczęcia masowej produkcji nowych układów DDR3 DRAM.

Close

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.