Toshiba chce nadal szukać nakorzystniejszego rozwiązania pamięci FeRAM, tak by móc wykorzystać tą technologię w ultramobilnych urządzeniach, czy stacjach SSD

Prototyp 128-megabitowych pamięci FeRAM

Toshiba dumnie informuje o wytworzeniu w 130-nanometrowej technologii prototypu pamięci Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) o pojemności 128 Megabitów.

Trzy lata po wyprodukowaniu pierwszych 64-megabitowych pamięci FeRAM wraz z firmą NEC, Toshiba może pochwalić się wytworzeniem w 130-nanometrowym procesie technologicznym, prototypu pamięci Ferroelectric RAM o pojemności 128 Mb, która oferuje prędkość transferu danych na poziomie 1.6 Gbps. Układ, zaprezentowany na konferencji International Solid-State Circuits Conference w San Francisco, wykorzystuje nową architekturę, która powstrzymuje degradację sygnału. Ponadto posiada interfejs pamięci DDR2, oferuje czas dostępu na poziomie 83 nanosekund, zaś pracuje przy napięciu zasilania 1,8 V.

Co więc jest takiego niezwykłego w tego typu pamięciach? Oferują one prędkości transferu danych na poziomie układów DRAM, ale potrafią przechować dane przy odłączonym zasilaniu, tak jak układy NAND. Toshiba niestety nie poinformowała o planach rozpoczęcia masowej produkcji.

0
Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.