Producent pamięci operacyjnych – Hynix – przełamuje kolejną barierę w segmencie mobilnych układów pamięci DDR2, wytwarzając 1-gigabitowy moduł pamięci DDR2 DRAM w 54-nanometrowym procesie technologicznym. Według producenta nowe układy pobierają o 50 procent mniej mocy w porównaniu z mobilnymi układami DDR, a także o 30 procent mniej niż standardowe pamięci DDR2.
Nowe układy posiadają ponadto 2- lub 4-bitowy bufor funkcji Prefetch (przyspieszanie uruchomienia aplikacji), 16- lub 32-bitowe I/O, natomiast pracować mogą z maksymalną częstotliwością 1066 MHz.
Do masowej produkcji 1-gigabitowe układy DDR2 DRAM w technologii 54 nm trafią w drugiej połowie 2009 roku.
