Układy DDR3 DRAM w technologii 40 nanometrów

Samsung startuje z produkcją 4-gigabitowych pamięci DDR3 DRAM

Samsung Electronics rozpoczyna masową produkcję 4-gigabitowych układów pamięci DDR3 DRAM, które wytworzono w technologii 40 nanometrów.

Koreański producent nie zwalnia tempa również w segmencie pamięci operacyjnych, jako że rusza masowa produkcja 4-gigabitowych układów pamięci DDR3 DRAM, wytwarzanych w 40-nanometrowym procesie technologicznym. Nowe układy mogą pracować z częstotliwością 1600 MHz, przy napięciu zasilania 1.5V lub 1.35V. Układy znajdą zastosowanie w 16- i 32-gigabajtowych pamięciach RDIMM oraz 8-gigabajtowych pamięciach SO-DIMM. Samsung chce produkować ponad 90 procent swoich wszystkich pamięci DDR DRAM w 40-nanometrowym procesie technologicznym.

Tymczasem zobacz nasz ranking pamięci RAM!

0
Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.