8-bitowy układ OneNAND gwarantuje niezawodność technologii SLC oraz sprawdzoną wydajność, dzięki której dane mogą być odczytywane z prędkością 70 Megabajtów na sekundę (MB/s), czyli ponad 4 razy szybciej w porównaniu do tradycyjnego układu NAND, osiągającego 17 MB/s. Dodatkowo, zastosowanie zaawansowanego procesu technologicznego 30nm pozwoliło firmie Samsung zwiększyć wydajność o 40% w stosunku do produkcji w technologii 40 nm.
Układ OneNAND może być używany jako pamięć buforowa nie tylko do zapisu danych, dzięki szybszej niż w przypadku NAND prędkości zapisu, ale również jako bufor do szybkich, wydajnych operacji odczytu danych za sprawą interfejsu NOR flash.
Według firmy iSuppli, zajmującej się badaniami rynku popyt na pamięć typu NAND flash dla telefonów komórkowych może sięgnąć 1,1 miliarda sztuk (odpowiednik 1GB pojemności) w 2010 roku. W 2011 oczekuje się ponad podwójnego wzrostu do 2,5 miliarda sztuk. Ponadto, na postawie analiz strategicznych firma przewiduje, że popyt na smartfony wyniesie 285 milionów urządzeń w 2010 roku, a w 2013 wzrośnie do 580 milionów sztuk.
