Memrystory pozwolą zastąpić pamięci DRAM i pamięci flash?

Memrystory trafią na rynek jako pamięć ReRAM

Memrystor to czwarty bierny element elektroniczny, obok opornika, kondensatora i cewki. To opornik z pamięcią (z ang. memory resistor), który może być wykorzystany do budowy pamięci trwałych, cechujących się znacznie większą gęstością zapisu niż dyski twarde, a przy tym szybkością pracy porównywalną z pamięciami DRAM. Słowa „może być” są właśnie zamieniane na „jest”, a to za sprawa firm HP oraz Hynix, które chcą wykorzystać memrystory do zbudowania pamięci ReRAM (Resistive Random Access Memory).

Nowy typ trwałej pamięci z niskim zapotrzebowaniem na energię ma być użyty w modułach pamięci, zastępując pamięci DRAM, ale również w urządzeniach do przechowywania danych, jak na przykład napędy SSD, zastępując pamięć flash.

Prace jednak dopiero się rozpoczynają i nie ma żadnych informacji, kiedy możemy spodziewać się pierwszych produktów, opartych na ReRAM-ie.