Taka jest różnica pomiędzy nowym, a starszymi układami pamięci MLC NAND flash

Pamięci flash w 20-nanometrowej technologii

Intel i Micron wytwarzają 8-gigabajtowe kości NAND w 20-nanometrowej technologii

Nowe 20-nanometrowe urządzenie o pojemności 8 GB mierzy zaledwie 118mm2 i ogranicza zajmowaną przestrzeń na płytce drukowanej o 30 do 40 procent (w zależności od typu obudowy) w porównaniu z istniejącym, 25-nanometrowym urządzeniem NAND 8 GB firm Intel i Micron. Zmniejszenie rozmiarów pamięci flash zapewnia większą elastyczność, ponieważ pozwala producentom tabletów i smartfonów wykorzystać dodatkową przestrzeń do ulepszenia produktu, na przykład przez dodanie większej baterii, większego ekranu albo kolejnego układu do obsługi nowych funkcji.

Próbki urządzenia 20 nm 8GB są już dostępne, a jego masowa produkcja ma się rozpocząć w drugiej połowie 2011 roku. Intel i Micron oczekują, że zaprezentują wówczas próbki urządzenia 16-gigabajtowego, które pozwoli stworzyć pojedyncze, 128-gigabajtowe rozwiązanie pamięci półprzewodnikowej mniejsze od typowego znaczka pocztowego.