Toshiba we współpracy z SanDiskiem tworzy coraz pojemniejsze, mobilne pamięci flash

Toshiba chce 128 GB w smartfonach

Wraz z SanDiskiem, firma Toshiba prezentuje nową technologię wytwarzania pamięci flash. Nowy proces 19-nanometrów pozwoli na budowanie 128 GB pamięci dla smartfonów.

Nowy, 19-nanometrowy proces technologiczny pozwoli na budowanie niezwykle małych i coraz pojemniejszych pamięci NAND flash. Na jednej kości Toshiba może już teraz zmieścić 8 GB, co umożliwi tworzenie pamięci flash dla smartfonów i tabletów o pojemności nawet do 128 GB na jednym układzie. To dwukrotnie więcej, niż dotychczas udało się uzyskać. To jednak nie wszystko, bowiem nowe układy mają być także szybsze, dzięki wykorzystaniu technologii Toggle DDR2.0, wspomagającej transfer danych.

Nowe układy pamięci NAND flash, wytworzone w 19-nanometrowej technologii są już dostarczane do producentów, gdzie zostaną przetestowane. Zakładana data rozpoczęcia masowej produkcji to już tegoroczne wakacje.

0
Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.