Samsung rozpoczyna produkcję 20-nanometrowych pamięci DDR3

Koreański producent otworzył nową fabrykę Line-16 i startuje z produkcją układów pamięci DDR3 DRAM, wytworzonych w 2x-nanometrowej technologii.
Samsung rozpoczyna produkcję pamięci RAM nowej generacji

Samsung rozpoczyna produkcję pamięci RAM nowej generacji

Samsung otwiera największą do tej pory fabrykę, w której produkowane będą pamięci RAM. Line-16, zlokalizowana w Hwaseong, w prowincji Gyeongg, oferuje produkcję układów pamięci DDR3 DRAM w klasie 20-nanometrowego procesu technologicznego. Samsung zainwestował w budowę i rozwój tej fabryki 10 miliardów dolarów. Sam budynek składa się z 12 kondygnacji i zajmuje powierzchnię 198 tysięcy metrów kwadratowych.

Nowe pamięci DDR3 mają natomiast zwiększyć wydajność o 50 procent, ograniczając przy tym pobór mocy nawet o 40 procent, w porównaniu z układami wytworzonymi w 30-nanometrowej technologii. Na początek Samsung przewidział produkcję 2-gigabitowych układów DDR3 DRAM, ale jeszcze przed końcem roku powinna rozpocząć się produkcja układów 4-gigabitowych, pozwalających konstruować moduły pamięci o pojemności 16 i 32 GB.

0
Źródło: TechConnect
Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.