Samsung rusza z masową produkcją 4-gigabitowych modułów pamięci Mobile DRAM, które wytworzone są w 20-nanometrowej technologii.
Niższy proces technologiczny produkowanych pamięci RAM pozwoli na uzyskanie przepustowości na poziomie 2,133 Megabitów na sekundę, co według Samsunga podwoi wydajność w stosunku do standardowych, mobilnych układów LPDDR2. Nowe, niskonapięciowe moduły DDR3 posłużą dostawcom OEM do budowy 2-gigabajtowych układów pamięci o grubości zaledwie 0,8 mm. Jednocześnie Samsung zdołał obniżyć pobór mocy o 20 procent.
Nowe urządzenia mobilne dysponować więc będą nie tylko większą ilością RAM-u i szybszą pamięcią operacyjną, ale będzie możliwa też budowa jeszcze cieńszych modeli.
0
Źródło: Samsung