Samsung rozpoczyna masową produkcję pamięci 3D V-NAND flash

Mają być znacznie wydajniejsze od obecnie stosowanych układów.

Pierwsze układy 3D V-NAND mogą pomieścić 128 gigabajtów danych. Trójwymiarowa struktura wnętrza układu scalonego jest ponoć znacznie wydajniejsza od obecnie stosowanej dwuwymiarowej. Samsung twierdzi, że nowe pamięci będą umożliwiały zapis z dwukrotnie większą prędkością i z 10-krotnie większą stabilnością.

Technologia Samsunga pozwala na ułożenie nawet 24 warstw komórek pamięci, co w przyszłości ma pozwolić na tworzenie jeszcze pojemniejszych układów dla smartfonów i notebooków. Niestety, nie wiemy kiedy na rynku pojawią się pierwsze urządzenia z pamięcią 3D V-NAND flash, ale biorąc pod uwagę, że owa pamięć jest już produkowana, obstawiamy przyszły rok.

Chcesz być na bieżąco z CHIP? Obserwuj nas w Google News