Oto MRAM, następca pamięci DRAM

Oto MRAM, następca pamięci DRAM

Prace nad pamięcią MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) trwają już od ponad dekady. Owa pamięć ma być dziesięciokrotnie wydajniejsza od pamięci DRAM, wykorzystując zarazem mniejszą ilość energii, co jest szczególnie ważne w urządzeniach mobilnych.

Pamięć MRAM to swego rodzaju niespełniona obietnica. Firmy Toshiba i NEC zapewniały w 2002 roku, że “już za trzy lata” ukończą prace nad MRAM-em. Podobne obietnice składali IBM, Infineon, a Freescale nawet w 2006 roku próbował je sprzedawać (4-megabitowe układy za 25 dolarów sztuka). Wygląda jednak na to, że MRAM w końcu pojawi się na rynku.

Ponad dwadzieścia firm ze Stanów Zjednoczonych i Japonii zapewniły, że trafią one na masowy rynek do 2018 roku. Należą do nich, między innymi, Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Elecronics, Hitachi i Micron Technology. Firmy te będą opracowywać metodę masowej produkcji układów MRAM, która ponoć jest największym w tej chwili problemem.