Samsung Galaxy S 5 z 4 GB pamięci DDR4?!

Firma Samsung opracowała LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) - pierwszą na świecie 8-gigabitową kość DRAM przeznaczoną dla urządzeń mobilnych.

8-gigabitowa kość LPDDR4 jest wykonana w procesie technologicznym 20-30 nanometrów i mieści 1 gigabajt (GB) danych, co stanowi największą gęstość dostępną obecnie wśród układów DRAM. Pojedynczy 4-gigabajtowy moduł LPDDR4 zawiera cztery kości 8 Gb.

Dla użytkowników urządzeń przenośnych ma to oznaczać szybsze, lepiej reagujące aplikacje, więcej zaawansowanych funkcji i ekrany o wyższej rozdzielczości przy zachowaniu maksymalnej wydajności baterii. Dodatkowo, 8-gigabitowa kość LPDDR4 wykorzystuje interfejs wejścia-wyjścia typu LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic). Dzięki nowemu interfejsowi kość LPDDR4 umożliwi transfer danych z prędkością 3200 megabitów na sekundę (Mbps) na pin, czyli dwukrotnie szybszy niż oferowany przez produkowane aktualnie masowo w procesie 20-30 nm pamięci LPDDR3.

Kość LPDDR4 ma zapewnić o 50 procent wyższą wydajność niż najszybsze dostępne obecnie pamięci LPDDR3 i DDR3. Co więcej, nowa pamięć pracuje pod napięciem 1,1 wolta i ma pobierać aż 40 procent mniej energii.

0
Źródło: Samsung
Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.