Micron i Intel przedstawiają pamięć flash NAND 3D nowej generacji

Nowatorskie technologie rozszerzają prawo Moore'a na pamięci flash, dając znaczne zwiększenie zagęszczenia przy jednoczesnym zmniejszeniu kosztu pamięci NAND.

Firmy Micron Technology, Inc. oraz Intel Corporation ogłosiły dzisiaj dostępność technologii NAND 3D — pamięci flash o najwyższym na świecie zagęszczeniu. Flash jest technologią magazynowania danych używaną w najcieńszych laptopach, najszybszych centrach danych i niemal każdym telefonie komórkowym, tablecie i urządzeniu mobilnym.

Nowa technologia NAND 3D, opracowana wspólnie przez firmy Intel i Micron, z dużą precyzją umieszcza pionowo warstwy komórek przechowujących dane, by w efekcie uzyskać urządzenia magazynujące o trzykrotnie większej pojemności niż w konkurencyjnych technologiach NAND. Dzięki temu na mniejszej przestrzeni mieści się więcej danych, co oznacza znaczną redukcję kosztów, niższe zużycie energii i wyższą wydajność w wielu mobilnych konsumenckich, jak również w najbardziej wymagających zastosowaniach korporacyjnych.

Innowacyjna architektura

Jedna z najważniejszych zalet tej technologii leży w samej podstawowej komórce pamięci. Intel i Micron postanowiły wykorzystać komórkę z pływającą bramką – powszechnie stosowane rozwiązanie, ulepszane przez lata masowego wytwarzania hybrydowych pamięci flash. To pierwsze użycie komórki z pływającą bramką w NAND 3D, co było kluczową decyzją projektową, umożliwiającą uzyskanie większej wydajności, a także podwyższenie jakości i niezawodności.

Nowa technologia NAND 3D umieszcza pionowo komórki pamięci flash na 32 warstwach, dzięki czemu otrzymuje się płytkę komórek wielostanowych (MLC) o pojemności 256 gigabitów oraz komórek trzystanowych (TLC) o pojemności 384 gigabitów, która mieści się w standardowych obudowach. Takie pojemności umożliwią stworzenie dysków SSD wielkości listka gumy do żucia, oferujących pojemność ponad 3,5 TB i standardowych 2,5-calowych dysków SSD o pojemności ponad 10 TB. Pojemność została osiągnięta pionowym rozmieszczeniem komórek, dlatego rozmiary poszczególnych komórek mogą być wyraźnie większe. To zaś powinno zwiększyć zarówno wydajność, jak i trwałość, przez co nawet konstrukcje TLC będą nadawać się do pamięci masowych w centrach danych.

Testowe układy NAND 3D w wersji MLC 256 Gb są wysyłane już teraz do wybranych partnerów, natomiast wersja TLC 384 Gb będzie rozsyłana do testów późną wiosną. Linia produkcyjna jest już uruchomiona, a oba urządzenia będą produkowane z pełną wydajnością przed czwartym kwartałem br. Obie firmy opracowują także linie produktów SSD opartych na technologii NAND 3D i należy oczekiwać, że owe urządzenia pojawią się w ciągu najbliższego roku.

0
Źródło: Intel
Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.