Samsung wchodzi w proces FinFET 10 nm

Samsung ogłosił rozpoczęcie produkcji układów SoC tworzonych w 10-nanometrowym procesie technologicznym FinFET drugiej generacji pod nazwą 10LPP (Low Power Plus). Według koreańskiego producenta Proces ten daje możliwość wzrostu wydajności o 10% (zapewne przez podniesienie częstotliwości przy tym samym zużyciu prądu) lub też niższe o 15% zużycie energii względem procesu technologicznego 10 nm pierwszej generacji, tj. 10LPE (Low Power Early).

Układy Exynos Samsunga są, słusznie zresztą, uważane za jedne z najwydajniejszych w swojej klasie (fot. Samsung)

Dzięki przejściu z technologii 10LPE na 10LPP będziemy w stanie dostarczyć naszym klientom jeszcze lepsze osiągi i wyższą wyjściową wydajność – powiedział Ryan Lee, wiceprezes ds. marketingu pionu Foundry firmy Samsung Electronics. W ramach długofalowej strategii firmy Samsung dotyczącej procesu technologicznego 10nm będziemy w dalszym ciągu pracować nad ewolucją tej technologii aż do poziomu 8LPP, co da klientom znaczące korzyści w szerokiej gamie zastosowań.

Widać, że koreański gigant szykuje się na zażarty pojedynek z Qualcommem i Huawei w 2018 roku.

0
Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.