Na trwającym własnie Flash Memory Summit Toshiba zaprezentowała nowy rodzaj pamięci półprzewodnikowej, do produkcji której stosowany będzie proces technologiczmy BiCS 3D Flash (znamy go m.in. z powstawania pamięci 3D TLC NAND). Według japońskiego producenta nowy rodzaj pamięci posiada kilka wspólnych cech z 3D XPoint, znanych z pamięci Intel Optane. Przede wszystkim chodzi o więcej operacji wyjścia i wejścia danych realizowanych w ciągu sekundy (IOPS). Według wstępnych danych nowe pamięci będą przypominały układy Samsung Z-NAND.
Niestety nie podano informacji o gotowych produktach wykorzystujących tę technologię. Można spodziewać się, że japoński koncern zaprezentuje nośniki korzystające z XL-Flash jeszcze w tym roku.
