Czym UFS 3.0 różni się od UFS 2.1? Przede wszystkim daje znacznie większą szybkość – 11,6 Gbps. To dwa razy więcej niż w obecnie stosowanych pamięciach. JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council, organizacja zajmująca się standaryzacją pamięci) informuje, że w przypadku UFS 3.0 dopuszczalne jest jednoczesne wykorzystanie dwóch linii, co w praktyce jeszcze podwaja transfer. Nośnik nowego rodzaju czerpie także mniej prądu. Zasilanie ma niższe napięcie – 2,5 V, w UFS 2.1 – 2,7 V. Różnica nie jest wielka, ale pamieć stale pracuje, więc wpływ na wydajność energetyczną będzie zauważalny. Co to oznacza dla smartfonów? Dłuższy czas pracy na baterii, szybsze instalowanie i uruchamianie aplikacji oraz wydajniejsza praca z naprawdę dużymi plikami, np. nagraniami wideo 4K.
UFS (Universal Flash Standard) to rodzaj pamięci typu flash, pomyślany jako główny nośnik danych w urządzeniach mobilnych. Niestety w wielu tańszych telefonach nadal instaluje się eMMC lub SD (jak w kartach microSD). UFS korzysta natomiast z technologii LVDS (Low-Voltage Differential Signaling), która pozwala na jednoczesny zapis i odczyt plików, przy czym pobiera mniej prądu niż eMMC. Pamięć Toshiby to kolejna odsłona tego rodzaju modułów. Wprowadzenie pamięci UFS 3.0 w najbliższym czasie zapowiedział też Samsung. A tutaj znajdziecie artykuł, w którym opisujemy nowy standard i porównujemy go z innymi typami nośników. | CHIP
