Samsung DDR4 DRAM

Samsung rusza z produkcj膮 pami臋ci DDR4 DRAM drugiej generacji

Fot. Samsung
Samsung uruchamia produkcj臋 drugiej generacji modu艂贸w pami臋ci 8 GB DDR4 DRAM. Wed艂ug korea艅skiego potentata technologicznego, to najbardziej wydajne i efektywne energetycznie modu艂y 8 GB DRAM na 艣wiecie.

Producent pomniejszy艂 te偶 rozmiary uk艂ad贸w pami臋ciowych drugiej generacji, kt贸re nanoszone s膮 na modu艂y聽DDR4 DRAM. Zdaniem szefa dzia艂u Memory Business w Samsungu, opracowanie nowoczesnej technologii produkcji pami臋ci, wykonanych w 10-nanometrowym procesie, pozwoli szybciej wytwarza膰 takie uk艂ady.

Nowy chip zapewnia efektywno艣膰 energetyczn膮 i wydajno艣膰 wy偶sze ni偶 uk艂ad pierwszej generacji produkcji korea艅skiej firmy. Warto przy tym zauwa偶y膰, 偶e gdy mowa o pierwszej generacji, mamy na my艣li pierwsze uk艂ady 10 nm, jakie Samsung zacz膮艂 stosowa膰 w modu艂ach DDR4 DRAM. Zatem druga generacja nie oznacza zmniejszenia skali procesu technologicznego – ten dalej jest 10-nanometrowy. Optymalizacja uk艂ad贸w pozwala na lepsze o 15 procent wykorzystanie zasilania, co ma prze艂o偶y膰 si臋 na zauwa偶alnie d艂u偶sz膮 prac臋 laptop贸w, korzystaj膮cych z baterii.

Samsung DDR4 DRAM drugiej generacji
Nowe chipy to kolejna generacja uk艂ad贸w pami臋ci, wykonanych w 10 nm procesie technologicznym (fot. Samsung)

Z kolei je偶eli chodzi o wydajno艣膰, producent informuje, 偶e t臋 poprawiono o oko艂o 10 procent. Najnowsze uk艂ady pami臋ci DDR4 Samsunga maj膮 uzyskiwa膰 wydajno艣膰 na poziomie do 3600 Mb/s na pin. To wyra藕nie wi臋cej ni偶 w poprzedniej generacji, gdzie maksymalnie osi膮gano warto艣膰 3200 Mb/s na pin. Produkcja uk艂ad贸w DDR4 pierwszej generacji ma by膰 nadal prowadzona. | CHIP