Producent pomniejszył też rozmiary układów pamięciowych drugiej generacji, które nanoszone są na moduły DDR4 DRAM. Zdaniem szefa działu Memory Business w Samsungu, opracowanie nowoczesnej technologii produkcji pamięci, wykonanych w 10-nanometrowym procesie, pozwoli szybciej wytwarzać takie układy.
Nowy chip zapewnia efektywność energetyczną i wydajność wyższe niż układ pierwszej generacji produkcji koreańskiej firmy. Warto przy tym zauważyć, że gdy mowa o pierwszej generacji, mamy na myśli pierwsze układy 10 nm, jakie Samsung zaczął stosować w modułach DDR4 DRAM. Zatem druga generacja nie oznacza zmniejszenia skali procesu technologicznego – ten dalej jest 10-nanometrowy. Optymalizacja układów pozwala na lepsze o 15 procent wykorzystanie zasilania, co ma przełożyć się na zauważalnie dłuższą pracę laptopów, korzystających z baterii.
Z kolei jeżeli chodzi o wydajność, producent informuje, że tę poprawiono o około 10 procent. Najnowsze układy pamięci DDR4 Samsunga mają uzyskiwać wydajność na poziomie do 3600 Mb/s na pin. To wyraźnie więcej niż w poprzedniej generacji, gdzie maksymalnie osiągano wartość 3200 Mb/s na pin. Produkcja układów DDR4 pierwszej generacji ma być nadal prowadzona. | CHIP