Dzięki ostrej wojnie cenowej między AMD i Intelem tanieją procesory z zegarem ponad 1 GHz. Można zatem śmiało powiedzieć, że nadszedł już czas, aby pamięć RAM również przyśpieszyła.
Niemal każdego miesiąca producenci procesorów informują o wprowadzeniu na rynek nowej, szybszej jednostki centralnej. Postęp w technologii produkcji pamięci jest, niestety, znacznie wolniejszy. Gdyby nie pamięć podręczna oraz zaawansowane algorytmy optymalizujące dostęp do RAM-u, sytuacja byłaby dramatyczna.
Obecnie najpopularniejszym rodzajem pamięci stosowanej w komputerach stacjonarnych są synchroniczne moduły DRAM (tzw. SDRAM). Nazwa “synchroniczny” oznacza w tym przypadku, iż wymiana danych pomiędzy procesorem a pamięcią odbywa się zgodnie z sygnałem podawanym przez zegar systemowy. We współczesnych systemach komputerowych wszystkie komponenty są w jakiś sposób powiązane z jego szybkością. Także jednostka centralna musi się podporządkować jego rygorowi. Zazwyczaj częstotliwość taktowania magistrali FSB (Front Side Bus) wynosi 100 lub 133 MHz. Żeby współczesny procesor mógł osiągnąć prędkość jednego gigaherca, wartość FSB musi zostać odpowiednio zwielokrotniona dzięki wewnętrznemu mnożnikowi jednostki centralnej. Sytuacja taka wymusza stosowanie wysokich mnożników i powoduje coraz większą rozbieżność między wydajnością pamięci i CPU. Ponieważ wiadomo, że procesory będą działały coraz szybciej, a użycie coraz większych mnożników jest problematyczne, konieczna jest więc inna modyfikacja.
—
| Info Informacje na temat pamięci DDR http://www.hardocp.com/ articles/memory/ddrovr/ http://www.kingston.com/ memory/ddr/ Rambus kontra DDR http://www.crucial.com/library/ Producenci chipsetów http://www.via.com.tw http://www.ali.com.tw Na płycie CD w dziale Hard-ware | Minitest płyt głównych znajduje się plik w formacie PDF zawierający tabelkę z wynikami testów opisywanych płyt głównych. |
