Powrót pamięci RDRAM

Sekret wydajności pamięci Rambus (tzw. modułów RDRAM), do niedawna silnie promowanej przez firmę Intel, od zawsze tkwił w dużej częstotliwości taktowania, z jaką te układy pracują. Rzeczywista szybkość ich działania kilkakrotnie przekracza nominalne prędkości zegara, spotykane w najczęściej używanych dziś pamięciach DDR SDRAM – 200 megaherców dla pamięci DDR400. Wysokie częstotliwości, dochodzące w przypadku pamięci Rambus PC1200 nawet do 600 MHz (efektywnie 1200 MHz), udało się projektantom kalifornijskiej korporacji Rambus uzyskać dzięki podziałowi pojedynczej matrycy DRAM na osiem mniejszych, jednakowych części, pracujących niezależnie od siebie (patrz:

CHIP 12/2000, s. 138

). Niestety, pamięci RDRAM mają jedną zasadniczą wadę – są bardzo drogie, a ich cena nigdy nie uzasadniała osiąganego wzrostu wydajności w stosunku do konkurencyjnych modułów DDR, zwłaszcza że szybkość transmisji Rambusów zostaje okupiona wydłużonym czasem dostępu do danych.

Decyzyjny bałagan?

Głośno o pamięciach Rambus stało się w 1998 roku, gdy firma Intel uznała je za “jedynie słuszny RAM”. Dziś, gdy rynek opowiedział się za pamięciami DDR, przedstawiciele Intela przyznają, że decyzja o “wejściu” w technologię RDRAM była błędna. Teraz najnowsze konstrukcje chipsetów Intela są więc przystosowane do obsługi modułów DDR, w tym do ich najszybszej obecnie, zestandaryzowanej wersji DDR400. Przyjrzyjmy się zatem uważnie pod kątem wydajności najnowszym konstrukcjom procesorów Pentium 4, chipsetów i dostępnym typom pamięci.

Moduły DDR400 pozwalają na przesyłanie danych z maksymalną szybkością wynoszącą 3,2 gigabajta na sekundę. Dzięki chipsetom i865 (Springdale) oraz i875P (Canterwood) pamięci te pracują w tzw. trybie dwukanałowym, oferując łączne pasmo 6,4 GB/s. Tyle właśnie potrzebuje najnowszy Pentium 4, działający z 800-megahercową magistralą systemową. Kolejne przyśpieszenie szyny systemowej wymaga już użycia pamięci DDR533 o przepustowości 4,2 GB/s (dwukanałowo 8,4 GB/s), a wszystko wskazuje na to, że będzie to już ostateczna granica możliwości technologii DDR pierwszej generacji. Ucieczka w kolejne wersje układów DDR I jest więc rozwiązaniem tylko na krótką metę.

Zdecydowanie bardziej przyszłościowe są pamięci DDR II. Różnią się one znacznie od znanych nam obecnie układów DDR. Moduł DDR II ma 240 pinów (moduł DDR zawiera 184 piny). Będzie on też zasilany niższym napięciem 1,8 V zamiast 2,5 V. Produkowane w technologii 0,10 mikrona pamięci DDR II wystartują z zegarem 400 MHz, by niedługo później osiągnąć częstotliwości 533, a także 667 MHz. Nic więc dziwnego, że Intel jest bardzo zainteresowany rozwojem tego standardu i już zapowiedział na drugi kwartał przyszłego roku chipset obsługujący pamięci DDR II. Niestety, masowa produkcja tych układów nie rozpocznie się wcześniej aniżeli w drugim kwartale przyszłego roku. Oznaczać to może, że pamięci DDR II na szeroką skalę dostępne będą dopiero w 2005 roku.

Tymczasem szyna FSB o zegarze 1200 MHz wymagać będzie przepustowości na poziomie 9,6 GB/s, a takie pasmo oferują jedynie, pracujące dwukanałowo, 32-bitowe kości RDRAM PC1200. Może się więc okazać, że “pecetową śmierć” pamięci Rambus ogłoszono za wcześnie i niedługo moduły RDRAM znów wrócą do łask.

Więcej:bezcatnews