Debiut nanomaszyn
W ciągu roku prac badawczych udało się zmniejszyć wielkość trójbramkowego tranzystora z 60 do 30 nm – a rozmiar jest jednym z głównych czynników wpływających na wydajność, gdyż mniejszy tranzystor może być szybciej przełączany. Pierwsze układy zbudowane na bazie przestrzennych tranzystorów pojawią się w 2007 roku. Wiceprezes Intela Sunlin Chou zapowiada, że początkowo kości będą produkowane w technologii 0,045 mikrona, czyli 45 nanometrów (szczyt możliwości technicznych dla dzisiejszych fabryk procesorów to 0,13 mikrona). Obecnie trójbramkowe tranzystory opuściły centrum badawcze koncernu Intel i znajdują się pod opieką specjalistów przygotowujących procesy produkcyjne. Są już gotowe pierwsze eksperymentalne układy, wyprodukowane w fabryce w Hillsboro w stanie Oregon na standardowych waflach krzemowych o średnicy 300 mm. Będą to prawdopodobnie pierwsze urządzenia wykonane w skali nano, jakie trafią na masowy rynek.
Niech żyje prawo Moore’a!
Trójwymiarowe tranzystory mają przedłużyć życie prawu Moore’a (autorem którego jest notabene założyciel i długoletni prezes właśnie koncernu Intel). Zgodnie z tym prawem wydajność nowych procesorów podwaja się co 18 miesięcy. Wielokrotnie zapowiadano koniec owej prawidłowości, uzasadniając to granicami technologicznymi, których rzekomo nie można przekroczyć. Trójbramkowe procesory mają odsunąć widmo stagnacji technologii mikroprocesorowych. Dzięki temu nadal co kilka miesięcy będziemy mogli kupić kilka gigaherców więcej za cenę nie wyższą od tej, jaką zapłaciliśmy za starego Celerona.