Ponad 100 milionów tranzystorów 3-D Tri-Gate zmieści się na główce od szpilki

Zupełnie nowe tranzystory Intela!

Trójbramkowe tranzystory będą podstawą do budowy procesorów Ivy Bridge

Ponad 100 milionów tranzystorów 3-D Tri-Gate zmieści się na główce od szpilki

Ponad 100 milionów tranzystorów 3-D Tri-Gate zmieści się na główce od szpilki

Firma Intel Corporation ogłosiła dziś znaczący przełom w ewolucji tranzystora – mikroskopijnego elementu, który jest budulcem nowoczesnych urządzeń elektronicznych. Po raz pierwszy od czasu wynalezienia krzemowego tranzystora 50 lat temu, do masowej produkcji trafią produkty oparte na tranzystorach korzystających z trójwymiarowej struktury. Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate, o których świat usłyszał po raz pierwszy w 2002 roku, będą podstawą do produkcji w 22 nanometrowym procesie produkcyjnym procesorów o nazwie kodowej „Ivy Bridge”. Nanometr to jedna miliardowa część metra.

Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate Intela pozwolą procesorom na pracę przy niższym napięciu i ograniczeniu strat energetycznych, czego wynikiem będzie zwiększona wydajność i zmniejszone zapotrzebowanie na energię, w porównaniu do poprzedniej generacji tranzystorów.

Nowe 22nm tranzystory 3-D Tri-Gate oferują do 37% więcej wydajności przy niskim napięciu w porónaniu z 32nm dwu-wymiarowymi jednostkami. Jest to cecha która będzia kluczowa w zastosowaniach do smartfonów i innych urządzeń mobilnych, które wymagają coraz większej funkcjonalności i mocy przy zachowaniu długiego czasu pracy na baterii.