Wprowadzając na rynek swoje nowe pamięci DRAM DDR3 o pojemności 4Gb, firma Samsung przekroczyła kolejną barierę w redukcji rozmiarów kości DRAM. Komórki pamięci produkowane są w technologii 20 nm przy wykorzystaniu powszechnie dostępnej litografii immersyjnej z użyciem laserów ArF.
Miniaturyzacja komórek pamięci DRAM jest trudniejsza niż w przypadku pamięci NAND Flash. Pierwsze z nich składają się z połączonych ze sobą kondensatora i tranzystora, natomiast w przypadku NAND Flash komórka zawiera jedynie tranzystor. Aby osiągnąć obecny poziom miniaturyzacji, Samsung wprowadził zmodyfikowane techniki podwójnego naświetlania i osadzania warstw atomowych. Nowa technologia będzie także kluczowa przy produkcji przyszłej generacji pamięci DRAM w procesie klasy 10 nm.
Zwiększenie wydajności zapewnia do tego wyprodukowanie ultra cienkich warstw dielektrycznych jednorodnych komórek kondensatorowych. Nowe moduły pamięci oparte na nowych kościach 4GB mają zużywać do 25 procent mniej energii, niż odpowiadające im objętością moduły oparte na starszej technologii 25 nm.
