Nas najbardziej interesuje jednak oczywiście to, co będzie w tej fabryce produkowane. Chodzi o pamięci flash NAND nowego typu, określane w opozycji do zwykłych pamięci (2D NAND) jako układy 3D NAND. Wcześniej o tej technologii informował już Samsung, choć pod inną nazwą V-NAND (od Vertical NAND). Chodzi jednak o to samo – ułożenie kości pamięci w postaci trójwymiarowej struktury, w której ładunki elektryczne “chwytane są” nie przez tzw. pływające bramki, lecz warstwę izolatora z azotku krzemu. Takich warstw może być w jednym układzie kilkadziesiąt, dzięki czemu oparte na nich nośniki danych mogą być szybsze, pojemniejsze i bardziej wytrzymałe.
Nie wiemy jeszcze, jak będą przedstawiać się parametry techniczne przyszłych dysków SanDiska i Toshiby, ale już w tym momencie możemy opierać się na tym, co deklaruje Samsung. W jego przypadku dyski V-NAND mają być dwa razy wydajniejsze i dwa razy oszczędniejsze nawet od nowoczesnych pamięci 2D NAND produkowanych w procesie 10-nanometrowym.
Wygląda na to, że w 2016 roku możemy się spodziewać niezłej rewolucji na rynku dysków SSD… Choć z drugiej strony warto zauważyć, że Samsung już rozpoczął produkcję dysków V-NAND i pracuje obecnie nad zminiaturyzowaniem powstających w tym procesie układów (w celu zwiększenia ich pojemności).
