Według Samsunga będą to pierwsze dostępne na rynku 8-bitowe układy typu LPDDR4 DRAM wykonane w technologii 20-nanometrowej. Ich pojemność wyniesie 4 GB i przeznaczone będą w pierwszym rzędzie dla smartfonów i tabletów z ekranami o wysokiej rozdzielczości. W porównaniu ze starszymi modułami LPDDR3, które również bazują na 20-nanometrowym procesie technologicznym, mają one dwukrotnie większą gęstość upakowania danych, dzięki czemu możliwe stało się produkowanie pamięci o pojemności 4 GB.
Nowe pamięci oferują szybkość transferu na poziomie 3200 Mb/s, co ma w zupełności wystarczyć chociażby do nagrywania i odtwarzania materiałów wideo w rozdzielczości 4K albo wykonywanie zdjęć seryjnych w rozdzielczości 20 megapikseli. Co ciekawe, nowe moduły DRAM mają też wpływ na wydłużenie czasu pracy smartfonów, ponieważ oferują przy woltażu 1,1 V.
Możemy się zatem spodziewać, że najnowsze smartfony Samsunga z serii Galaxy S oraz Note będą wyposażone w 4 GB pamięci RAM.
