Radeon R9 Nano pozwala grać w 4K w salonie

AMD wyznacza nowy standard kompaktowego komputera za sprawą trzeciej karty graficznej bazującej na układzie "Fiji", która oferuje pamięć o wysokiej przepustowości (High-Bandwidth Memory, HBM) oraz obsługę nowej generacji gier DirectX 12.

Karta AMD Radeon R9 Nano, po raz pierwszy pokazana graczom z całego świata na targach Electronic Entertainment Expo (E3) w Los Angeles w czerwcu 2015 r., bazuje na układzie graficznym „Fiji” i jest trzecim produktem z tym rdzeniem, jaki zadebiutował na rynku tego lata, obok kart graficznych AMD Radeon

R9 Fury i R9 Fury X. Rodzina kart graficznych AMD Radeon R9 Fury z układem „Fiji” wyznacza nowy standard gier komputerowych dzięki wykorzystaniu pamięci o wysokiej przepustowości (HBM, tj. High-Bandwidth Memory), zapewniając wysoką efektywność energetyczną, dużą wydajność przy bardzo wysokiej rozdzielczości obrazu i niesamowite wrażenia w systemach rzeczywistości wirtualnej. Model Radeon R9 Nano ponadto ulepsza konstrukcję komputerów, umożliwiając stworzenie znacznie mniejszych maszyn dla zagorzałych graczy.

175-watowy AMD Radeon R9 Nano oferując wydajność o 30 proc. wyższą i pobór mocy niższy o 30 proc. w porównaniu z poprzedniej generacji kartą AMD Radeon

R9 290X, to najbardziej energooszczędna karta graficzna klasy Mini ITX przeznaczona dla entuzjastów. Chłodzona powietrzem konstrukcja ma długość 15 centymetrów.

Linia kart graficznych AMD Radeon R9 obejmuje produkty w sugerowanych cenach od 199 do 649 dolarów. Karta graficzna AMD Radeon R9 Nano będzie sprzedawana w sugerowanej cenie 649 dolarów i ma być dostępna w sklepach oraz u wybranych detalistów internetowych od 7 września 2015 r.

Specyfikacja karty graficznej AMD Radeon R9 Nano:

Cechy

Funkcja Virtual Super Resolution (VSR)

Tak

Funkcja Frame Rate Target Control (FRTC)

Tak

Pamięć HBM (High-Bandwidth Memory)

Tak

Technologia AMD FreeSyncTM

Tak

Technologia AMD LiquidVRTM

Tak

Obsługa rozdzielczości 4K

Tak

Obsługa AMD Eyefinity

Tak

Obsługa AMD CrossFireTM

Tak

Dane techniczne

Proces produkcji

28 nm

Liczba procesorów strumieniowych

4096

Liczba jednostek obliczeniowych

64

Taktowanie rdzenia

Do 1000 MHz

Wydajność obliczeniowa

8,19 TFLOPS

Liczba jednostek teksturujących

256

Tempo wypełniania teksturami

256 GT/s

Liczba jednostek renderujących

64

Tempo wypełniania pikselami

64 GP/s

Liczba buforów Z/Stencil

256

Konfiguracja pamięci

4 GB HBM

Interfejs pamięci

4096-bitowy HBM

Szybkość pamięci / transmisji danych

500 MHz / 1,0 Gb/s

Przepustowość pamięci

512 GB/s

Złącza zasilania

1 x 8-pinowe

Typowy pobór mocy

175 W

Standard PCIe®

PCI-E 3.0

Obsługiwane API

DirectX® 12, VulkanTM, OpenGL® 4.5, Mantle

0
Źródło: AMD
Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.