Samsung poinformował, że jego 16-gigabitowy układ pamięci GDDR6 otrzymał nagrodę Najlepszej Innowacji CES 2018, w swojej kategorii. Tak, wiemy, że CES odbędzie się w styczniu. Aktualnie trwa jednak CES Unveiled New York, mniejsza impreza, na której CES już rozdaje CES 2018 Innovation Awards.
Nagrodzony moduł o nazwie kodowej K4ZAF325BM-HC14 to 16-gigabitowa kość GDDR6 działająca pod napięciem 1,35 V. Jest to pierwszy tego typu VRAM Samsunga. Firma, specjalnie na nowojorską imprezę, przygotowała wersje pokazowe, gdyż finalny produkt nie jest jeszcze gotowy.
Co jest innowacyjnego w tym układzie? K4ZAF325BM-HC14 działa z prędkością aż 16 Gb/s, (inaczej:przepustowością na poziomie 64 GB/s). Jak przekłada się to na faktyczne prędkości?
| GDDR6 16 Gbps | GDDR5X 11 Gbps | GDDR5X 10 Gbps | GDDR5 8 Gbps | |
| 384-bitowa szyna pamięci | ||||
| Przepustowość | 768 GB/s | 528 GB/s | 480 GB/s | 384 GB/s |
| 256-bitowa szyna pamięci | ||||
| Przepustowość | 512 GB/s | 352 GB/s | 320 GB/s | 256 GB/s |
768 GBps przy 384-bitowej magistrali to naprawdę dużo. Biorąc pod uwagę nadchodzącą, także w pierwszym kwartale 2018 roku, premierę kart NVIDIA Volta, możemy spodziewać się, że czeka nas wtedy prezentacja możliwości nowych pamięci VRAM Samsunga. | CHIP
Warto przeczytać:
Pamięci DDR5 już są
