Konwencjonalny model budowy GAA oparty na nanoprzewodzie wymaga większej liczby stosów, ze względu na małą efektywną szerokość kanału. Wersja GAA Samsung GAA, MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET), wykorzystuje architekturę nanocząstek, umożliwiając większy prąd na stos. Producent podkreśla jeden, olbrzymi zysk ze stosowania tej technologii: jest kompatybilna z FinFET, może więc korzystać z tego samego sprzętu produkcyjnego. To powinno ułatwić wprowadzenie gotowych układów na rynek.
3 nm układy Samsunga (w porównaniu z aktualnymi 7 nm) zostały zaprojektowane tak, aby zapewnić nawet 45-procentową redukcję powierzchni chipów przy 50-procentowym zużyciu energii lub o 35 procent wyższej wydajności. Zdaniem Samsunga, procesory budowane w nowej litografii trafią nie tylko do telefonów, ale też do urządzeń IoT, samochodów oraz urządzeń sieciowych.
Samsung poinformował, że układy 6 nm powstawać będą od połowy tego roku, i chodzi przy tym już o produkcję masową. Możemy się zatem domyślać, że następny Galaxy Note może mieć SoC wykonany właśnie w technologii 6 nm. W tym samym czasie firma zakończy też prace nad układami 4 nm. Do połowy 2020 roku gotowe będą układy wytwarzane w 5 nm. Daty ukończenia prac nad litografią 3 nm nie podano. | CHIP
