Pamięć NAND flash służy do przechowywania treści w urządzeniach elektroniki użytkowej. Zachowuje informacje nawet po wyłączeniu zasilania. Przejście na niższy wymiar technologiczny przełoży się na dalszy rozwój i nowe zastosowania technologii NAND. Proces 25-nanometrowy to nie tylko najmniejsza technologia NAND, ale najmniejsza technologia półprzewodnikowa na świecie — osiągnięcie, które pozwoli przechowywać więcej muzyki, wideo i innych danych we współczesnych urządzeniach elektronicznych i komputerowych.
25-nanometrowy proces technologiczny opracowany przez IM Flash Technologies (IMFT), spółkę firm Intel i Micron, pozwala uzyskać 8 gigabajtów (GB) pamięci w pojedynczym urządzeniu NAND, zapewniaja więc więcej miejsca na dane w niewielkich gadżetach konsumenckich. Pamięć mierzy zaledwie 167 mm2 — mieści się w otworze płyty CD, a mimo to zawiera 10 razy więcej danych (standardowa płyta CD ma pojemność 700 megabajtów).
Dzięki ciągłym inwestycjom w badania i rozwój pamięci NAND firmy Intel i Micron podwajają gęstość NAND mniej więcej co 18 miesięcy, co prowadzi do tańszych, wydajniejszych i pojemniejszych produktów. Intel i Micron założyły IMFT w 2006 roku, zaczynając produkcję od procesu 50-nanometrowego, po czym w 2008 roku przeszły na technologię 34-nanometrową. Rozpoczęcie produkcji w procesie 25-nanometrowym oznacza, że obie firmy jeszcze bardziej dystansują konkurentów, wprowadzając najmniejszą litografię półprzewodnikową, jaka jest dostępna w branży.
– Opracowanie najbardziej zaawansowanego procesu technologicznego w całej branży półprzewodnikowej to fenomenalny wyczyn Intela i Microna. Liczymy na to, że uda nam się jeszcze bardziej przesunąć granice skalowania — powiedział Brian Shirley, wiceprezes grupy pamięci w firmie Micron. — Nowa technologia zapewni naszym klientom duże korzyści, umożliwiając produkcję nośników o wyższej gęstości – dodał.
– Dzięki ciągłym inwestycjom w IMFT dysponujemy technologią i możliwościami produkcyjnymi, które przekładają się na najbardziej ekonomiczną i niezawodną pamięć NAND — powiedział Tom Rampone, wiceprezes i dyrektor generalny Intel NAND Solutions Group. — Spopularyzuje to stosowanie stacji półprzewodnikowych w urządzeniach komputerowych – dodał.
25-nanometrowe urządzenie NAND o pojemności 8 GB jest już dostępne w postaci próbek inżynierskich i ma wejść do masowej produkcji w drugim kwartale 2010 roku. Oferuje najwyższą gęstość pamięci w pojedynczej kości multi-level cell (MLC) z dwoma bitami na komórkę i mieści się w standardowej obudowie thin small-outline package (TSOP). Aby zwiększyć pojemność pamięci, można w jednej obudowie ułożyć wiele urządzeń 8 GB jedno na drugim. Nowe 8-gigabajtowe urządzenie zmniejsza liczbę układów o 50 procent w porównaniu z poprzednimi generacjami technologicznymi, co przekłada się na mniejsze, bardziej zagęszczone konstrukcje i oszczędność kosztów. Na przykład dysk SSD o pojemności 256 GB można teraz zbudować z 32 takich urządzeń (poprzednio 64), w smartfonie o pojemności 32 GB wystarczy zastosować cztery, a w karcie pamięci o pojemności 16 GB — zaledwie dwa.
