Choć zmiana “tylko” o dwa nanometry nie wydaje się szczególnie imponująca, to przy tej skali działania, gdzie do głosu dochodzą już efekty kwantowe, a klasyczna fizyka traci rację bytu, to dużo. Każde zagęszczenie układów, powodujące zwiększenie mocy obliczeniowej, przy jednoczesnym zmniejszeniu zapotrzebowania na energię, jest sukcesem.
IBM, Samsung i GlobalFoundries przy tej okazji zmienili też sama metodę budowy procesorów. Obecnie najgęściej upakowane układy scalone są produkowane z wykorzystaniem tzw. tranzystorów FinFET. Takie chipy można wytwarzać do skali 10, ewentualnie 5 nm. Poniżej już nie. Krok wykonany przez producentów pozwola schodzić poniżej tej granicy.
Naukowcom udało się opracować jeszcze mniejsze struktury krzemowe, które mogą pełnić rolę tranzystorów. W procesie 5-nanometrowym tranzystory FinFET zostały porzucone na rzecz obiektów wykonanych z nanowarstw. Pojedyncza warstwa konstrukcyjna nanowarstwowego tranzystora to w zasadzie obiekt dwuwymiarowy – ma grubość zaledwie jednego atomu.
Do czego konkretnie mogą przydać się nanowarstwowe układy o wymiarze technologicznym 5 nm (i mniejsze)? Wyobraźcie sobie smartfon, który nie dość, że jest znacznie szybszy od dzisiejszych topowych modeli, to jeszcze wolniej zużywa baterię, ładuje się szybciej i mniej rozgrzewa. Potencjał nanowarstw pozwala półprzewodnikom krzemowym nadal się rozwijać, a prawo Moore’a – o cyklicznym podwajaniu liczby tranzystorów w procesorach – niezmiennie działa. | CHIP
