W debiutującym za kilka dni flagowym smartfonie Samsunga (Galaxy S9) zobaczymy rzeczywistą współpracę układu Snapdragon 845 z modemem X20 Qualcomma (zdolnym do transmisji z maks. prędkością rzędu 1,2 Gbit/s). Zatem naturalnym wnioskiem jest, że w kolejnej generacji flagowców Samsunga możliwy będzie mariaż już ogłoszonego modemu X24 ze spodziewanym, ale wciąż jeszcze nie ogłoszonym oficjalnie układem Snapdragon 855.
Qualcomm won't say it, but their contractors do. Snapdragon 855 (SDM855) is the first 7nm SoC. (probably the one the X24 modem ends up in) pic.twitter.com/Ot1J34fQoG
— Roland Quandt (@rquandt) February 15, 2018
Jeden z leaksterów (specjalistów od wycieków informacji), Roland Quandt (akurat ten chce, by go leaksterem nie nazywać) opublikował informację, jakoby partnerzy konkraktowi Qualcomma potwierdzili plany przyszłego układu SoC w 7 nanometrowym procesie technologicznym. Mamy zatem trzy informacje: potwierdzoną oficjalnie produkcję modemu LTE X24 (7 nm), nie potwierdzoną oficjalnie, ale bardzo prawdopodobną produkcję chipsetu Snapdragon 855 (także 7 nm) oraz deklarację Samsunga, że firma będzie gotowa do masowej produkcji 7 nanometrowych układów na początku 2019 roku. Tym samym można założyć, że kolejna generacja Samsunga Galaxy S10 (o ile tak właśnie będzie się nazywać) będzie już wyposażona w pakiet 7 nanometrowych układów.
Co tak naprawdę daje nam mniejszy proces technologiczny? Korzyści to przede wszystkim redukcja poboru mocy, przy jednoczesnym wzroście wydajności układów. Jest na co czekać | CHIP.
