Pamięci GDDR6 osiągną przepustowość 20 Gbps

Zdaniem firmy Micron, moduły typu GDDR6 pozwolą na dość solidny overclocking. Żeby osiągnąć 20 Gbps wystarczy jedynie lekkie podniesienie napięcia.

Pamięć GDDR5X jest szybka, ale jej następca, GDDR6, będzie jeszcze szybszy. Zwłaszcza że nowe moduły da się łatwiej podkręcać. Zdaniem producenta silnie zaangażowanego w powstawanie GDDR6, mają one osiągnąć znacznie większe przepustowości niż GDDR5X. Konstrukcyjnie GDDR6 nie będą jednak taką rewolucją jak moduły HBM2 a raczej rozwiną poprzednie standardy pamięci VRAM.

GDDR6 niemal na pewno pojawią się we flagowych modelach kolejnej generacji GeForce’ów (fot. NVIDIA)

Micron w nowych podzespołach chwali się licznymi usprawnieniami na poziomie krzemowym. To wyższa wydajność i poprawiona integralność sygnału. Firma zrobiła też wiele na rzecz zwiększenia przepustowości. Udało się przekroczyć 16,5 Gbps, co było dotychczas najwyższym parametrem osiąganym przez GDDR6. To możliwe dzięki niewielkiemu wzrostowi napięcia zasilającego pamięci. Przepustowość powinna sięgać nawet 20 Gbps. JEDEC pierwotnie określiło ten parametr w GDDR6 na 14 Gbps, więc widać, że w nowych pamięciach drzemie wyraźnie większy potencjał niż zakładano. Moduły współpracujące z GPU z 256-bitową magistralą mogą zatem, przynajmniej teoretycznie, osiągnąć 640 Gbps. Dla porównania Titan V osiąga 652.8 Gbps, ale przy zastosowaniu pamięci HBM2. Przy 384-bitowej szynie pamięci wydajność z użyciem GDDR6 sięgnęłaby już 1 Tbps.

To wszystko, w połączeniu z informacją o rozpoczętej produkcji pamięci GDDR6, każe przypuszczać, że zobaczymy je w gotowych produktach niedługo. Gdy tylko nadarzy się okazja, sprawdzimy, ile jest prawdy w zapowiedziach o łatwości podkręcania nowych pamięci. | CHIP

Zamknij

Choć staramy się je ograniczać, wykorzystujemy mechanizmy takie jak ciasteczka, które pozwalają naszym partnerom na śledzenie Twojego zachowania w sieci. Dowiedz się więcej.