Szczegóły procesu produkcyjnego TSMC N4X ujawnione. To pierwszy tak bezpośredni krok firmy na rynek HPC
Segment HPC jest zarezerwowany dla firm i ośrodków badawczych, jako przykład sprzętów, które muszą radzić sobie z okiełznaniem sztucznej inteligencji, czy ogromnych baz danych. Z roku na rok ten segment się rozrasta i z tego najpewniej powodu TSMC postanowiło zaprojektować technologię produkcji specjalnie z myślą o nim. Tak też TSMC N4X jest pierwszym członkiem rodziny “X” i wyprodukowane w jego ramach produkty reprezentują “najwyższą wydajność i maksymalne częstotliwości taktowania w rodzinie 5-nanometrowych układów”.
Czytaj też: Japońska firma pokazała 7-bitowe pamięci Flash z komórkami SONOS
HPC jest obecnie najszybciej rozwijającym się segmentem biznesowym TSMC i jesteśmy dumni z wprowadzenia N4X, pierwszego w linii ‘X’ naszych technologii półprzewodnikowych o ekstremalnej wydajności. Wymagania segmentu HPC są nieubłagane, a TSMC nie tylko dostosowało nasze technologie półprzewodnikowe ‘X’, aby uwolnić najwyższą wydajność, ale także połączyło je z naszymi zaawansowanymi technologiami pakowania 3DFabric, aby zaoferować najlepszą platformę HPC– powiedział dr Kevin Zhang, starszy wiceprezes ds. rozwoju biznesu w TSMC.
Czytaj też: Procesory Intel Raptor Lake i mobilny GeForce RTX 3080 Ti już w AIDA64
TSMC na podstawie swojego doświadczenia w produkcji układów z wykorzystaniem 5-nm procesu, udoskonaliło własną technologię specjalnie z myślą o produktach HPC i tak też powstał proces N4X. Ten ma zapewniać optymalizację układów pod kątem stosunku pożeranej energii do maksymalnej częstotliwości i wykorzystywać materiały z najwyższej półki. Firma w swoim prasowym ogłoszeniu podkreśliła też potencjał, który drzemie w jej produktach HPC, wskazując, że cechują się:
- Wyższą wydajnością i zazwyczaj wyższą częstotliwością pracy
- Poborem mocy rzędu 100 watów, a w skrajnych przypadkach zbliżającym się do 1000 W
- Większą ilością pamięci podręcznej SRAM (ponad 1Gb) w SoC
- Wyższą przepustowością pamięci
- Wydajniejszą łącznością I/O
- Większymi rozmiarami matryc krzemowych
Czytaj też: NVIDIA zmienia plany. Nowego flagowca się doczekamy, ale na RTX 3070 Ti 16 GB poczekamy
W praktyce układy wyprodukowane z wykorzystaniem procesu N4X będą o 15% wydajniejsze w porównaniu do tych wyprodukowanych w N5 i o 4% do N4X przy napięciu 1,2 V. Jednak dzięki N4X układy będą mogły osiągnąć napięcia powyżej 1,2 V i tym samym zapewniać dodatkową wydajność. Trochę jednak na nie poczekamy, bo wstępna “ryzykowna” ich produkcja ma ruszyć w pierwszej połowie 2023 roku.
