ULTRARAM łączy najlepsze cechy pamięci flash i DRAM, ULTRARAM, pamięć ULTRARAM

ULTRARAM łączy najlepsze cechy pamięci flash i DRAM. Po raz pierwszy wyprodukowano ją na krzemie

W dzienniku Advanced Electronic Materials pojawiło się najnowsze badanie na temat pamięci ULTRARAM. O niej mogliście słyszeć wcześniej, bo opatentowano ją już dawno, ale dopiero teraz świat technologii doczekał się momentu, w którym pamięć ULTRARAM została przekuta na dzieło oparte o układy krzemowe i doczekała się demonstracji.

Pamięć ULTRARAM jest wytrzymalsza od pamięci flash, zachowuje dane przez 1000 lat, a na dodatek jest wydajna, jak DRAM

Opatentowana już przed laty w USA technologia ULTRARAM obecnie jest zarówno w fazie rozwoju ku produkcji na dużą skalę, jak i dalszych procesach patentowych na innych kluczowych rynkach na całym świecie. Trudno dziwić się dążeniu do jej zastrzeżenia, bo ten pionierski typ pamięci komputerowej może zrewolucjonizować segment pamięci, łącząc najważniejsze cechy pamięci flash i DRAM.

Czytaj też: Wyciekają nie tylko toksyny, ale i poufne dane. E-śmieci to poważniejszy problem, niż wielu się wydaje

ULTRARAM może pochwalić się niezwykłymi właściwościami. Wszystko dzięki połączeniu zdolności pamięci flash pod kątem nieulotności pamięci z szybkością, wydajnością energetyczną oraz wytrzymałością pamięci DRAM. Wykorzystuje w tym celu unikalne właściwości półprzewodników złożonych, które są powszechne w diodach LED, czy laserowych, ale nie w elektronice cyfrowej, gdzie dominuje krzem.

Teraz jednak ULTRARAM wyszedł z poziomu projektu na coś rzeczywistego, dzięki swojej demonstracji na matrycach krzemowych, co stanowi ważny krok w kierunku jego produkcji na dużą skalę. Dokonano tego w ramach współpracy pomiędzy Physics and Engineering Departments at Lancaster University i Department of Physics at Warwick.

ULTRARAM na krzemie to ogromny postęp dla naszych badań, pokonujący bardzo istotne wyzwania materiałowe. Są nimi duże niedopasowania sieci krystalicznej, zamiana półprzewodnika elementarnego na półprzewodnik złożony oraz różnice w skurczu termicznym– powiedział profesor Manus Hayne z Wydziału Fizyki w Lancaster, który kieruje pracami.

Czytaj też: Zamienią niewidzialne w widzialne. Naukowcy wiedzą jak przekształcić podczerwień

W testach wykazano, że pamięć ULTRARAM na krzemie przewyższa poprzednie wcielenia tej technologii na płytkach półprzewodnikowych GaAs. Wykazała czas przechowywania danych wynoszący co najmniej 1000 lat, dużą szybkość przełączania w stosunku do swoich rozmiarów oraz wytrzymałość rzędu 10 milionów na cykle zapisywania i usuwania. To wynik od stu do tysiąca razy lepszy niż w przypadku pamięci flash.