Micron pokazał swoje 176-wartwowe NAND, DRAM na procesie 1α, Micron 1 alfa

Oto pierwsze na świecie 232-warstwowe pamięci NAND. Szybszych i pojemniejszych jeszcze nie było

„Moment przełomowy dla innowacji w dziedzinie pamięci masowej” – tak wspomina o swoim osiągnięciu Micron i nie mamy zamiaru poddawać tego stwierdzenia firmy w wątpliwość. Pierwsze na świecie 232-warstwowe pamięci NAND stawiają bowiem w głębokim cieniu technologię, którą opracowywano ledwie przed trzema, a być może nawet dwoma laty.

Micron zaprezentował światu 232-warstwowe pamięci NAND. Zapewnią wydajniejsze, pojemniejsze i cieńsze sprzęty

232-warstwowa pamięć NAND firmy Micron jest obecnie produkowana na skalę masową w fabryce firmy w Singapurze. Początkowo będzie dostarczana klientom w formie komponentów oraz za pośrednictwem produktów konsumenckich w postaci dysków SSD z serii Crucial. Dodatkowe informacje o produktach i dostępności zostaną ogłoszone w późniejszym terminie, ale już teraz wiemy wszystko o tym standardzie pamięci.

Czytaj też: Które smartfony z Androidem mają najdłuższe wsparcie oprogramowania? Na pewno nie Google Pixel

232-warstwowa pamięć NAND firmy Micron to przełomowy moment dla innowacji w dziedzinie pamięci masowych i pierwszy dowód możliwości skalowania 3D NAND do ponad 200 warstw w produkcji. Ta przełomowa technologia wymagała szeroko zakrojonych innowacji, a w tym zaawansowanego procesu tworzenia struktur o wysokim współczynniku proporcji, nowatorskich materiałów i wiodących udoskonaleń projektowych, które bazują na naszej wiodącej na rynku 176-warstwowej technologii NAND– powiedział Scott DeBoer, wiceprezes wykonawczy ds. technologii i produktów w firmie Micron.

Owocem prac Microna jest pamięć NAND, która charakteryzuje się największą w branży gęstością powierzchniową i zapewnia większą pojemność oraz lepszą wydajność energetyczną w porównaniu z poprzednimi generacjami pamięci, co umożliwia najlepszą w swojej klasie obsługę najbardziej wymagających zadań. Jest to szczególnie ważne w obecnych czasach i w miarę tego, jak świat generuje coraz więcej danych, bo klienci muszą zwiększać pojemność i wydajność pamięci masowych, jednocześnie zmniejszając zużycie energii i spełniając bardziej rygorystyczne wymagania dotyczące ochrony środowiska.

Czytaj też: Rośnie nowy europejski potentat. Starlink Elona Muska będzie miał solidną konkurencję

W praktyce ta pamięć NAND zapewnia do 2,4 GB/s transferu I/O, co ma zaspokoić potrzeby związane z niskimi opóźnieniami i wysoką przepustowością w szeregu obciążeń związanych z SI czy uczeniem maszynowym. Taka prędkość oznacza o 50% szybszy transfer danych niż w przypadku najszybszego interfejsu w 176-warstwowych układach firmy Micron.

W tym wszystkim 232-warstwowa pamięć NAND firmy Micron zapewnia również do 100% wyższą przepustowość zapisu i ponad 75% wyższą przepustowość odczytu w przeliczeniu na pojedynczy układ w porównaniu do poprzedniej generacji. Ponadto, ta pamięć to pierwsza na świecie sześciopłaszczyznowa produkcyjna pamięć TLC NAND, co oznacza, że posiada ona najwięcej płaszczyzn na matrycę spośród wszystkich pamięci TLC Flash i charakteryzuje się niezależną możliwością odczytu w każdej płaszczyźnie.

Czytaj też: Google Play ma już 10 lat. Z tej okazji dostaje nowe logo

232-warstwowa pamięć NAND firmy Micron jako pierwsza w produkcji obsługuje NV-LPDDR4, niskonapięciowy interfejs, który zapewnia oszczędność transferu per bit o ponad 30% w porównaniu do wcześniejszych interfejsów I/O. Dodatkowo cechuje się największą gęstością pojemności w sektorze pamięci TLC, która wynosi 14,6 Gb/mm² i tym samym jest od 35% do 100% większa w porównaniu do rozwiązań konkurencji. Wszystko to w nowym układzie o rozmiarach 11,5 mm x 13,5 mm, co oznacza, że na dodatek pamięć ma o 28% mniejszy rozmiar niż poprzednie generacje firmy Micron.