Obecne nazewnictwo litografii nie ma pokrycia w rzeczywistości
Branża od dawna zdaje sobie sprawę, że tradycyjne, oparte na nanometrach nazewnictwo procesów technologicznych tworzenia procesów przestało odpowiadać rzeczywistej metryce w 1997 roku – czytamy w komunikacie prasowym Intela.
Procesy technologiczne w zasadzie od zawsze kojarzą nam się nanometrową litografią. Zasada była prosta. Im mniejsza liczba nanometrów, tym nowszy i wydajniejszy proces technologiczny. Przypomnijmy, że w nanometrach opisuje się rozmiar pojedynczego elementu procesora. Im jest on mniejszy, tym więcej można ich zmieścić na tej samej powierzchni. Im jest ich więcej, tym procesor może być wydajniejszy.
Czytaj też: Test Samsung Neo QLED QN91A. Taki powinien być telewizor dla każdego
Dzięki naszemu niekwestionowanemu przywództwu w dziedzinie tworzenia procesorów, przyśpieszamy nasz plan rozwoju innowacji, aby zapewnić, że do 2025 roku będziemy na wiodącej pozycji w zakresie wydajności procesorów. Wykorzystujemy nasz trwający ciąg innowacji, aby zapewnić dalszy postęp technologiczny od tranzystora, po gotowy system. Dopóki układ okresowy pierwiastków się nie wyczerpie, będziemy nieugięci w dążeniu do prawa Moore’a i naszej drogi do innowacji dzięki magii krzemu.– powiedział Pat Gelsinger, prezes Intela podczas transmisji wydarzenia Intel Accelerated.
Intel prezentuje nowe procesy technologiczne
Skoro procesy technologiczne nie będą już wyrażane w nanometrach, to w takim razie… jak? Oto jak zaplanował to Intel na najbliższe lata:
- Intel 7 – zapewni wzrost wydajności o 10-15% w stosunku do technologii Intel 10nm SuperFin. Intel 7 pojawi się w konsumenckich procesorach Alder Lake jeszcze w 2021 roku oraz Sapphire Rapids dla data center w 2022 roku.
- Intel 4 – obsługujący litografię EUV, drukującej miniaturowe elementu z wykorzystaniem ultrakrótkich fal światła. Dostępny w produkcji w II połowie 2022 roku Intel 4 ma zapewnić 20% wzrost na Wat. Do sklepów trafi w 2023 roku w konsumenckiej linii Meteor Lake oraz Granite Rapids dla data center.
- Intel 3 – wykorzysta dalszą optymalizację FinFET oraz EUV, zapewniając 18% wzrost wydajności na Wat w stosunku do Intel 4. Intel 3 będzie gotowy do produkcji w II połowie 2023 roku.
- Intel 20A – nazywany początkiem ery angstremów dzięki wykorzystaniu technologii RibbonFET oraz PowerVia. Pierwsza będzie pierwszą nową architekturą tranzystorową firmy od 2011 roku, wykorzystującej tranzystory typu gate-all-around. Zapewni szybkie przełączanie tranzystorów, przy zachowaniu niezmiennego napięcia oraz na mniejszej powierzchni niż dotychczas. Druga z kolei będzie pierwszą w branży implementacją nowego sposobu dostarczania zasilania, eliminującego potrzebę kierowania zasilania do przedniej części płytki drukowanej. Intel 20A ma planowo pojawić się w 2024 roku.
- Co stanie się po 2025 roku – po tym czasie na rynek ma trafić nowa generacja High NA EUV. Czyli w dużym uproszczeniu, czeka nas kolejny, planowo znaczący wzrost wydajności.
Intel, w ramach strategii IDM 2.0, zapowiedział też nowe rozwiązania konstrukcyjne oraz rozwinięcia znanych technologii:
- EMIB – nadal ma pozostać liderem branży jako pierwsze rozwiązanie z wbudowanym mostem 2.5D. Sapphire Rapids będzie pierwszym produktem dla data center z procesorami Xeon, sprzedawanym masowo z wbudowanym wieloelementowym mostem łączącym EMIB. Nowa generacja EMIB zmieni wypukłość 55 mikronów na 45 mikronów, a konstrukcja podwójnej siatki ma zapewniać niemal taką samą wydajność, jak konstrukcje monolityczne.
- Foveros – pierwsze w swoim rodzaju rozwiązania układania na płytkach drukowanych stosów 3D. Meteor Lake zaimplementuje 2. generację Foveros w produkcie konsumenckich, oferujących wypukłość 36 mikronów w produktach o TDP od 5 do 125W.
- Foveros Omni – nowa generacja technologii Foveros, która ma zapewnić nieograniczoną elastyczność, dzięki możliwości układania stosów 3D dla połączeń typu die-to-die oraz konstrukcji modułowych. Foveros Omni umożliwia dezagregację matryc, mieszanie wielu płytek górnych matryc z płytkami podstawowymi w mieszanych węzłach fabryk. Oczekuje się, że będzie gotowy do masowej produkcji w 2023 roku.
- Foveros Direct – bezpośrednie łączenie miedzi z miedzią w przypadku połączeń o niskiej rezystancji i zaciera granicę między miejscem, w którym kończy się wafel krzemowy, a miejscem, w którym zaczyna się pakiet. Ma zapewnić skoki wypukłości poniżej 10 mikronów, zapewniając wzrost gęstości połączeń do układania stosów 3D o rząd wielkości. Foveros Direct jest uzupełnieniem Foveros Omni i oczekuje się, że będzie gotowy do produkcji w 2023 roku.
Czytaj też: MIUI 13 pozwoli pozyskać dodatkową pamięć RAM
Intel próbuje dyktować reszcie rynku, co mają robić?
Ciekawe, jak na ruch Intela zareaguje reszta rynku. Opisywanie procesów technologicznych dotychczasowymi wartościami było spójne dla wszystkich firm produkujących procesory. Jeśli Intel się wyłamuje, rynek będzie musiał jakoś zareagować.
Jest oczywiście mało prawdopodobne, że AMD, czy TSMC zaczną korzystać z nazewnictwa Intela. Jeśli wprowadzą swoje, własne standardy, na rynku zrobi się (delikatnie mówiąc) nieporządek. A nam zostanie kombinować, czy różnie nazwane procesy technologiczne dwóch firmy oznaczają to samo, czy jednak coś innego.
