Żyjemy w szybko zmieniającym się, przeładowanym cyfrowym świecie, w którym zapotrzebowanie na moc obliczeniową i wydajność energetyczną rośnie szybciej niż kiedykolwiek wcześniej, co stwarza bezprecedensowe możliwości i wyzwania dla branży półprzewodników. Innowacje, które prezentujemy na naszym Sympozjum Technologicznym, pokazują wiodącą pozycję TSMC w dziedzinie technologii oraz nasze zaangażowanie we wspieranie naszych klientów w tym ekscytującym okresie transformacji i wzrostu– powiedział dr C.C. Wei, prezes TSMC.
FINFLEX i proces N2, czyli najnowsze technologie TSMC
Zacznijmy może od hucznie zapowiadanej technologii TSMC FINFLEX dla procesu N3 oraz N3E, który posłuży do masowej produkcji nowych układów już pod koniec 2022 roku. Jej innowacyjność sprowadza się do możliwość wyboru różnych konfiguracji komórek, które zależnie od wyboru mogą skupiać się na wydajności obliczeniowej lub tej energetycznej (albo oferować zrównoważony środek).
Czytaj też: Test Realme GT Neo 3T – gdzieś już to widziałem
Znacznie większy potencjał drzemie jednak w technologii N2, czyli następcy N3, który zapewni 10-15% wzrost wydajności przy pożeraniu tej samej ilości energii lub 25-30% spadek zużycia energii przy tej samej wydajności, zapoczątkowując nową erę wydajności. W tym procesie TSMC postawi na architekturę tranzystorów typu nanosheet oraz rozdzielenie oferty na warianty wysokowydajne oraz energetyczne. Na produkcję trochę jednak poczekamy, bo do 2025 roku.
Czytaj też: Powstanie iście europejski helikopter nowej generacji. Opracuje go sześć państw NATO w ramach NGRC
Firma TSMC zaprezentowała też swoją ofertę dla producentów zainteresowanych kompleksowymi rozwiązaniami układów scalonych TSMC-SoIC. Ten tajwański producent ponoć jako pierwszy na świecie wykorzystuje technologie Chip-on-Wafer (CoW) do układania pamięci SRAM jako pamięci podręcznej trzeciego poziomu. Dodatkowo produkowane przez niego układy wykorzystują “przełomową jednostkę przetwarzania informacji” przy użyciu technologii Wafer-on-Wafer (WoW).
