Nowy moduł DDR5 Samsunga, Nowy moduł DDR5, DDR5, Samsung DDR5

Nowy moduł DDR5 Samsunga wgniata w fotel pojemnością i taktowaniem

Do tej pory wiedzieliśmy, że Samsung testuje swoje 16 Gb kości, umożliwiające produkcję modułów DDR5 o pojemności 512 GB. Jednak dopiero dziś, a dokładniej mówiąc, po konferencji Hot Chips 33, poznaliśmy nowy moduł DDR5 Samsunga, który firma określa mianem pierwszego takiego w branży.

512 GB pojemności i 7200 Mb/s – oto nowy moduł DDR5 Samsunga w skrócie

Mowa o pojedynczej kości DDR5-7200, czyli o transferze 7200 Mb/s i pojemności 512 GB, co w porównaniu do DDR4 oznacza, że ten nowy moduł DDR5 Samsunga oferuje o 40% wyższą wydajność przy dwukrotnie większej pojemności przy jednoczesnym operowaniu na napięciu zaledwie 1,1 V. Znamy też szczegóły tego, jak firma skonstruowała ten moduł, łącząc osiem ułożonych w stos kości DDR5

Czytaj też: Szczegóły o procesorze graficznym kart Radeon RX 8000 na bazie RDNA4

Firma zbudowała swój moduł pamięci DDR5-7200 z 8-stosowych kości DDR5 połączonych technologią TSV, a dla przypomnienia i podkreślenia przewagi nowego standardu pamięci RAM, DDR4 są obecnie ograniczone do 4 matryc. To więc ogromna poprawa, choć pomimo gęstszej konstrukcji, każda kość pamięci DDR5 mierzy, nie znane z DDR4, 1,2 mm grubości, a 1 mm. Samo ich rozmieszczenie na laminacie jest tak „ciasne”, dzięki możliwości zmniejszenia odstępów między nimi o 40%.

Ten nowy moduł DDR5 Samsunga zyskał dodatkowo odświeżenie SB (Same-Bank-Refresh), kod korekcji błędów (ODECC) czy nowy korektor DFE, poprawiający stabilność sygnału. To wszystko przełożyło się na 10-procentowy wzrost wydajności magistrali DRAM przy jednoczesnym pozostaniu przy napięciu 1,1 V. Tak niskie napięcie zostało osiągnięte przez trzy elementy – zintegrowany układ zarządzania energią (PMIC), regulator napięcia i bramki High-K Metal, ale Samsung podkreśla, że to PMIC jest tym głównym bohaterem, który na dodatek znacząco poprawia stabilność napięcia.

Czytaj też: Nowy procesor Intel Core i5 z rodziny Alder Lake-S przetestowany

Samsung spodziewa się, że masowa produkcja modułów pamięci DDR4-7200 o pojemności 512 GB rozpocznie się pod koniec 2021 roku, ale jednocześnie uważa, że ​​przejście DDR5 do głównego rynku nastąpi dopiero w 2023 lub 2024 roku. Jednak już za kilka tygodni zadebiutują hybrydowe układy Intel Alder Lake 12. generacji, które jako pierwsze na rynku konsumenckim obsłużą standard DDR5.

Na wykorzystanie 512 GB modułu DDR5 Samsunga nie liczcie jednak w swoich komputerach, bo ten jest skierowany na rynek profesjonalny (serwery, centra danych). Finalnie my, przysłowiowi Kowalscy, będziemy mogli sięgnąć nie po maksymalnie 128 GB pamięci, jak to było w przypadku DDR4 i czterech gniazd, a aż 256 GB, o ile założymy, że doczekamy się 64 GB modułów DDR5.

Czytaj też: Tak przełączają się atomy. Naukowcom udało się uwiecznić ten proces

Jak zapewne wiecie, standard DDR5 przyniesie całą masę ulepszeń względem DDR4 i to nie tylko pod kątem wydajności (wyższe transfery, choć również opóźnienia), stabilności (własna sekcja zasilania na module), ale też pojemności „na moduł”. W DDR5 można teoretycznie umieścić na pojedynczym modelu od 8 do 16 kości pamięci, których pojemność może osiągnąć nawet 64 Gb, choć to trudne, co pokazało w przeszłości ogłoszenie Samsunga co do 24 Gb kości.